那些1995年获国家杰出青年基金资助。

这同时导致石墨烯的带隙打开，污泥并转变为n型半导体。这项研究是重要的一步，满身但还需要做更多的工作，以更容易地以更低的成本生产这种材料。

住高c,双层C3N的结合能(黑色方块)和带隙(红色圆圈)与扭曲角的关系。楼孤背景介绍以碳纳米材料为基础的电子学研究一直是学术界和工业界关注的热点。另外一个自由度是相邻层之间的扭曲角度，填词可以使用转移方法或原子力显微镜(AFM)尖端操作来实现。

利用DFT计算方法，翻唱比较了具有4种对称(AA,AA，AB和AB)叠加构型和5种不同扭曲角度的非对称结构的单层C3N和双层C3N的几何结构、能量稳定性和电子性质。在1.4Vnm−1的外加电场作用下，那些AB层的带隙调制变化为0.6eV。

理论分析还表明，污泥外加垂直电场使AB堆垛的C3N层的带隙减小。

计算和实验表明，满身AA和AB堆垛的双层比分离的单层和AA和AB堆垛的双层在能量上更有利。在分子掺杂前，住高两种器件在VBG=70V处表现出类似的温度依赖性迁移率行为，住高迁移率随着温度降低而增大，在100K达到最高，这表明电荷传输受到声子散射的限制。

 成果简介进日，楼孤韩国高丽大学DonghunLee团队报道了利用vdW波段工程和远程电荷转移掺杂在二维半导体中的调制掺杂。本工作在WSe2层化学掺杂了n型分子掺杂剂三苯基膦(PPh3)，填词这种掺杂可以通过远程电荷转移调节底层MoS2通道中的载流子密度，而不会降低迁移率。

翻唱相关成果以题为RemotemodulationdopinginvanderWaalsheterostructuretransistors发表在了Natureelectronics上。该方法可以用来控制二维场效应管中载流子的迁移率和密度，那些对发展高性能的二维半导体材料，如HEMTs有很高的价值。